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金属氧化物半导体场效应管

金属氧化物半导体场效应管(简称: 金氧半场效晶体管英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 缩写: MOSFET),是一种可以广泛使用在 模拟电路与 数字电路的 场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与 空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。

以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但由于多晶硅在制造工艺中更耐高温等特点,许多金氧半场效晶体管栅极采用后者而非前者金属。然而,随着半导体特征尺寸的不断缩小,金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注。

金氧半场效晶体管在概念上属于绝缘栅极场效晶体管(Insulated-Gate Fi...

金属氧化物半导体场效应管相关文献
半导体
概括半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带间隙(Bandgap)宽度不同半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带宽度不同。绝缘体的能带比半导体宽,意即绝缘体价带中的载流子必须获得比在半导体中更高的能量才能跳过能带,进入导带中。室温下的半导体导电性有如绝缘体,只有极少数的载流子具有足够的能量进入导带。因此,对于一个在相同电场下的本征半导体和绝缘体会有类似的电特性,不过半导体的能带宽度小于绝缘体也意味着半导体的导电性更容易受到控制而改变。纯质半导体的电气特性可以借由植入杂质的过程而永久改变,这个过程通常称为掺杂。依照掺杂所使用的杂质不同,掺杂后的半导体原子周围可能会多出一个电子或一个空穴,而让半导体材料的导电特性变得与原本不同。如果掺杂进入半导体的杂质浓度够高,半导体也可能会表现出如同金属导体般(类金属)的电性。在掺杂了不同极性杂质的半导体界面处会有一个内建电场(built-inelec...
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场效应管
历史场效应晶体管于1925年由JuliusEdgarLilienfeld和于1934年由OskarHeil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年DawanKahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。原理电极一个n型MOSFET的横截面所有的FET都有栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)三个端,分别大致对应双极性晶体管的基极(base)、集电极(collector)和发射极(emitter)。除了结型场效应管外,所有的FET也有第四端,被称为体(body)、基(base)、块体(bulk)或衬底(substrate)。这个第四端可以将晶体管调制至运行;在电路设计中,很少让体端发挥大的作用,但是当物理设计一个集成电路的时候,它的存在就是重要的。在图中栅极的长度(lengt...
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金属氧化物半导体场效应管
电路符号常用于金氧半场效晶体管的电路符号有多种形式,最常见的设计是以一条垂直线代表沟道(Channel),两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain),左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate),如下图所示。有时也会将代表沟道的直线以虚线代替,以区分增强型(enhancementmode,又称增强式)金氧半场效晶体管或是耗尽型(depletionmode,又称耗尽式)金氧半场效晶体管。由于集成电路芯片上的金氧半场效晶体管为四端组件,所以除了源极(S)、漏极(D)、栅极(G)外,尚有一基极(Bulk或是Body)。金氧半场效晶体管电路符号中,从沟道往右延伸的箭号方向则可表示此组件为n型或是p型的金氧半场效晶体管。箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从沟道指向基极端的为p型的金氧半场效晶体管,或简称PMOS(代表此组件的沟道为p型);反之则代表基极为p型,而沟道为n型,此组件...
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互补式金属氧化物半导体
简介所谓的“金属-氧化层-半导体”事实上是反映早期场效晶体管的栅极(gateelectrode)是由一层金属覆盖在一层绝缘体材料(如二氧化硅)所形成,工作时透过电场将沟道反转,形成通路,作为简单的开关。今日的金属氧化物半导体场效应管元件多已采用多晶硅作为其栅极的材料,但即使如此,“金氧半”(MOS)仍然被用在现在的元件与工艺名称当中。在今日,当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用,称有源像素感测器(ActivePixelSensor),例如高分辨率数字摄影机与数码相机,尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用,另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器(StackedCMOS,也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器)或背面照射式有源像素感测器(BSICMOS),使成像质量得以提升。跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比,由于CMOS...
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过渡金属氧化物
物理特性/应用同一种过渡金属氧化物材料经常具有多种物理性质,例如铁电性、铁磁性、超导体、热电效应、半导体、光电效应、压电效应、磁致伸缩、磁弹性、电感耦合、超流体等,因此可以透过变化温度或压力而达到金属-绝缘体两个状态的相变。通常被使用的特性包括催化活性和半导体特性。另外也常被用作油漆,塑料,最显著的材料代表是二氧化钛。参考资料Transitionmetaloxides之OxidationstatesSurfacePropertiesofTransitionMetalOxidesFunctionalIonDefectsinTransitionMetalOxidesTransitionmetaloxides–Thermoelectricproperties
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半导体元件
学科&术语
家族谱大览
浦阳金氏宗谱 [11卷]
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 民国26[1937]. 存28册:世系表. 外纪一世祖: (唐) 金国俊,字志英. 世居河南开封, 罗奄宦之乱遂避隐居天台孟岸. 为浙江始祖. 始迁祖(内纪本宗一世): 金桓,行万五,号柏轩. 祖籍东阳白水乐浦, 后迁居通化方施村. 盈塘祖(10世): 金镂,行昌二. 由方施分居盈塘. 上金祖(10世): 金昌五. 分居新城后复转上金. 东市祖(11世): 金暠,行宝一. 由方施迁东市祖. 市目祖(11世): 金昊,行贤一. 由方施村分居市目. 方施祖(11世): 金昶,行贵二. 住方施村祖宅祖. 市目下毛桥祖(11世): 金杲,行贤三. 后城祖(11世): 金昂,行富一. 祖遗派行字母(1-8世): 万寿福禄 康宁元贞. 新定排行字(22-31世): 崇厚彰光德 奕世庆鸿源. 续增: 礼乐传家久 诗书泽沛长. 1937年续编: 创业垂统绪 敦睦振纲常. 新定讳字母(22-31世): 守有宗(广)仁道 明廷显太良. 续增: 义以质为本 理可揆其中. 1937年续编: 孝悌保邦永 文章定国隆. 新定表字母(22-31世): 尚志希朝用 英儒启祚贤. 续增: 景运天开子 夏时惟建寅. 1937年续编: 慈祥承祖训 清白继芳徽. 注: 纂辑金显裕,字玉相 ; 金良作,字鲁斋. 注: 此谱部分页数破损,模糊不清,无法阅读. 注: 卷数与册数不尽相同. 缺卷5,2册 ; 卷6,1册 ; 卷11,1册, 共4册. 另行传部分缺1-20世及部分21世记事. 散居地: 浙江省浦江县等地. 书名据版心题, 及目录题编目.
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1.金氏谱书, 1, 1404-1995
为能实时提供网络用户搜寻, 此书谨有简略讯息, 谱书影像内容未经审阅. 如有错误, 请透过「意见反馈」反应.
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古润金氏宗谱 [6卷]
原书: [出版地不详] : 世耕堂, 清宣统元年[1909]重修. 8册 : 插图, 世系表. 受姓始祖 : (明) 锡爵公,于明洪武年间以勦寇有功,故天子赐姓金. 散居地 : 江苏省镇江县等地. 书名据书签题. 版心题 : 金氏宗谱.
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义城金氏校尉公派谱
金奎植,1958年发行。 始祖金锡,始祖金龍庇的子孙录。 哈佛燕京图书馆
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义城金氏大同谱
义诚金氏大同普遍赞委员会,金在春1992年发行。 仁济大学中央图书馆 元祖:金阏智,始祖:金锡 金石的子孙录。
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金氏宗谱
原书: [出版地不详] : 聚源堂, 清光绪21[1895]. 12册 : 插图, 世系表. 卷端题 : 池阳秋浦金氏重修宗谱. 珍藏者 : 山西省社会科学院. 受姓始祖 : 休屠王,因子日䃅入汉有功,赐姓金氏. 池阳秋浦始迁祖 : (明) 金观佑,字承恩,号瞻山. 散居地 : 安徽省贵池县等地.
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