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管正二

宏堂公下忠公派下支祖(8世): 管适,字尚德(宗圣公之子,迁居仁贵乡) ; 管正二,字西周(宗贤公长子) ; 管启元(宗贤公次子,迁居德安黄埠湾管家湖).

相关人物

始祖

平昌管氏宗谱

管正二相关文献

发光二极管

发展历史1961年，美国公司德州仪器的RobertBiard与GaryPittman首次发现了砷化镓及其他半导体合金的红外放射作用。1962年，通用电气公司的尼克·何伦亚克开发出第一种可实际应用的可见光发光二极管。1993年，日本日亚化学工业（NichiaCorporation）工作的中村修二成功把镁掺入，造出了基于宽能隙半导体材料氮化镓和氮化铟镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。中村修二于2014年因此工作与天野浩及赤崎勇得到诺贝尔物理学奖。部分评论认为，诺贝尔奖跳过了红色、绿色LED的发明者并不公平。但诺贝尔委员会（物理学奖）委员长PerDelsing（瑞典ChalmersUniversityofTechnology教授）在《读卖新闻》专访中提出反驳，他坚称“仔细研究发明的贡献度之后，有十足信心决定这3个人获奖”。有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也随即面世，之后LE

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正二位

获得正二位者日期为获得日。中世近世近代德川庆赖1876年（明治9年）11月16日（正三位）大原重德1879年（明治12年）4月3日（从二位）森有礼1889年（明治22年）2月14日（从二位）久我敏通1891年（明治24年）12月17日（正三位）东久世通积1891年（明治24年）12月17日（从二位）坊城俊逸1891年（明治24年）12月17日德川义直1900年（明治33年）5月4日（从二位）细川藤孝1902年（明治35年）11月12日（从四位下）姊小路公知1906年（明治39年）9月1日（从四位下）岛津忠寛1907年（明治40年）10月23日（从二位）德川治保1907年（明治40年）11月15日（从三位）佐竹义尭1908年（明治41年）9月9日（从四位下）德川秀康1909年（明治42年）9月11日（正三位）亀井兹监1915年（大正4年）11月10日（从五位下）北畠具行1915年（大正4年）...

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二极管

功能半导体二极管的电流－电压特性曲线。电压在正的区域称为正向偏置。二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用，通常称之为“整流”功能。在真空管内，借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极，因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电，包括无线电接收器对无线电信号的调制，都是通过整流来完成的。因为其顺向流通反向阻断的特点，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上，二极管并不会表现出如此完美的开关性，而是呈现出较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说，只有在正向超过障壁电压时，二极管才会工作（此状态被称为正向偏置）。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系，并且是温度的函数。因此这一特性可用于温度传感器或参考电压。半导体二极管的非线性电流-电压...

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激光二极管

原理激光二极管发出可见激光一般激光二极管的基本结构与发光二极管相同，是一以半导体造成的PN结，当电子受到外来电场（激发来源，pumpingsource）的牵引下从较高能级的n区域进入低能级的p区域时，受激电子藏有的能量便释放出来。由于选用的半导体做成的PN结的能带隙是直接帶隙（日语：直接遷移），所以能量释放的形式是光子（光线）而不是热。与发光二极管不同的是，激光二极管内有两个互相平行的光学反射面（也即镜子）形成光学共振腔。构成这两反射面的只须平滑的半导体表面（利用不同介质有不同的折射率来形成全反射），由于半导体有整齐的晶体结构，所以很容易造出光滑同平行的表面，而半导体的高折射率亦很易形成全内反射。光学共振器使得半导体内产生的光在两平行的晶体表面间反复来回而激发更多光子，当反复来回下激光的增益大过耗损时，稳定的激光朿便从二极管射出。因为激光的波长只有与两晶体面间距离能谐振才会产生激光，产生相...

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光电二极管

工作原理光电二极管的工作曲线一个光电二极管的基础结构通常是一个PN结或者PIN结。当一个具有充足能量的光子冲击到二极管上，它将激发一个电子，从而产生自由电子（同时有一个带正电的空穴）。这样的机制也被称作是内光电效应。如果光子的吸收发生在结的耗尽层，则该区域的内电场将会消除其间的屏障，使得空穴能够向着阳极的方向运动，电子向着阴极的方向运动，于是光电流就产生了。实际的光电流是暗电流和光照产生电流的综合，因此暗电流必须被最小化来提高器件对光的灵敏度。光电压模式当偏置为0时，光电二极管工作在光电压模式，这时流出光电二极管的电流被抑制，两端电势差积累到一定数值。(太阳能电池)光电导模式当工作在这一模式时，光电二极管常常被反向偏置，急剧的降低了其响应时间，但是噪声不得不增加作为代价。同时，耗尽层的宽度增加，从而降低了结电容，同样使得响应时间减少。反向偏置会造成微量的电流（饱和电流），这一电流与光电流同...

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家族谱大览

蘭谿厚嶺陳氏宗譜, 7, 卷8, 繩公正二(敬公) 延一 9世希謨公起, 1943

原书: [出版地不详 : 出版者不详], 民国32[1943]年. 存17册：插图, 世系表. 远祖: 陈寔,字仲弓,号太丘,谥文范先生. 浦阳关岩祖(1世): (宋) 陈著,字昭,号西斋,行兴九. 生子四: 陈樛,行百二 ; 陈桧 ; 陈松 ; 陈柱,行百五. 兰谿厚岭始迁祖(2世): (宋) 陈桧,字挺真,号后山,行伯七 ; 陈松,字挺秀,号东郊,行伯八. 桧公派下支祖(5世): (元明之际) 陈澄,字子彻,行祐一(居宅祖) ; 陈李龙,字子升,行祐四(传2代后无记事). 松公派下支祖(5世): (元明之际) 陈河,字永清,行祐六(居新屋下) ; 陈湖,字永宽,行祐九(居前宅并墈头顶) ; 陈继,字叔承,行祐十一 ; 陈绳,字叔规,行祐十三 ; 陈维,字叔度,号东泉,行祐十四(迁居兰邑大丘田堘). 行字母似为(1-18世): 行伯文(再)寿祐惠(智守)正(福状)延(宣义)增(生胜)仁(富荣) 礼昊晁升暹旭昱昌. 1943年新增行字母(19-38世): 纲维继统绪经纬绍纶缨缙绅绳绚彩絓组缵丝绵. 1943年新增名字母(19-38世): 日鼎用厚连秀为际嘉斯学道在有得赏心惟良知. 注: 此谱大部分为松公后裔世系. 注: 此谱总卷数不详, 似缺卷4, 及卷18. 且部分页数破损模糊, 难以阅读. 散居地: 浙江省兰谿县等地. 书名据书衣题, 版心题, 及卷端题编目.

7.谈氏宗谱, 7, 卷6, 汤墅楼下二分士正自得 11世微中公起, 2014

原书: [出版地不详] : 思成堂, 公元2014年续修. 合12册: 插图, 肖像, 世系表. 收藏者: 太原寻源姓氏文化研究中心. 白沙祖: (唐) 谈希文,字世显. 世籍江西九江, 后遁迹安徽宁国府宣城县之白沙村. 黄塘祖: 谈伯从. 自归迳始迁北方万金乡之黄塘. 为白沙15世. 汤墅始迁祖(1世): (元明之际) 谈宗远,原名贤二,号复斋. 与弟谈贤三,字寿斋(编籍河墩)俱迁武进县, 今分阳湖之安尚乡洛阳桥东南. 为黄塘4世. 宗远公派下支祖(3世): (明) 谈士文,字美夫(大分祖) ; 谈士正,字端夫(二分祖) ; 谈士升,字高夫(三分祖) ; 谈士宏,字远夫(四分祖). 散居地: 江苏省常州市武进区等地. 书名据书衣题, 书名页题编目. 版心题: 谈氏宗谱.

9.江氏宗谱, 9, 卷8：二房绍模正弼 12世鑑公起, 1329-1939

原书: [出版地不详] : 彩笔堂藏版, 民国28[1939](上浣黄梅 : 王文灿刊). 15册 : 插图, 世系表. 编纂者 : 江立纲,学名翰,字颖庵 ; 江立嵩,学名梦华,字永清 ; 江家贵,字文修 ; 江立率,字绥武 ; 江立松,学名国桢,字干臣 ; 江传玺,字孟卿. 远祖: 黄帝,姓公孙,名轩辕. 迁罗始祖(1世) : (元) 江福,字孟祉,号天寿(本支祖,自江右饶州迁居罗田陇埠河 ) ; 江用,字孟希(居江家冲,另有支谱) ; 江文焕,字德新(居平湖江家坂). 福公下六子(2世) : (元) 江仲彬(一房) ; 江仲栋(二房) ; 江仲梁(三房) ; 江仲材(四房) ; 江仲松(迁大冶,另有支谱) ; 江仲柏(迁大冶,另有支谱). 一房仲彬公派下房祖(8世) : (明) 江绍和 ; 江绍太 ; 江绍光. 二房仲栋公派下房祖(8世) : (明) 江绍模 ; 江绍坤 ; 江绍章 ; 江绍禄. 三房仲梁公派下房祖(8世) : (明) 江绍洽 ; 江绍节 ; 江绍舜 ; 江绍浩 ; 江绍位,字东泉...等. 四房仲材公派下房祖(8世) : (明) 江绍尧 ; 江绍舜 ; 江绍吉 ; 江绍珠 ; 江绍贤. 世派 : 孟仲永成定太清绍从一正金之生启受传家惟立本. 续派(21世起) : 本淑华国祚仁孝庆宗仪学裕才全盛源长汇自齐. 注 : 另含各系世派表. 详见卷二之2-4页(影像3-6页). 书名据书衣题, 书名页题, 及版心题编目. 卷端题 : 江氏五修宗谱. 散居地: 湖北省罗田县等地.

8.江氏宗谱, 8, 卷7：二房绍模正弼 12世铨公起, 1329-1939